Flash μνήμη. SSD. Οι τύποι μνήμης flash. κάρτα μνήμης

Flash μνήμη είναι ένας τύπος μακράς διαρκείας μνήμης για υπολογιστές, στην οποία τα περιεχόμενα μπορούν να επαναπρογραμματιστεί ή να αφαιρέσει ένα ηλεκτρικό μέθοδο. Σε σύγκριση με τα ηλεκτρικά διαγραφόμενη προγραμματιζόμενη Διαβάστε ενέργειες Μόνο μνήμης παραπάνω μπορεί να πραγματοποιηθεί στα τμήματα που βρίσκονται σε διαφορετικές θέσεις. Flash μνήμη κοστίζει πολύ λιγότερο από ό, τι EEPROM, γι 'αυτό έχει γίνει η κυρίαρχη τεχνολογία. Ειδικά σε περιπτώσεις όπου χρειάζεται μια σταθερή και μακροπρόθεσμη διατήρηση των δεδομένων. Η χρήση του επιτρέπεται σε μια ποικιλία συνθηκών: σε ψηφιακές συσκευές αναπαραγωγής ήχου, φωτογραφικές μηχανές, κινητά τηλέφωνα και smartphones, όπου υπάρχουν ειδικές Android εφαρμογές στην κάρτα μνήμης. Επιπλέον, χρησιμοποιείται σε USB-stick, παραδοσιακά χρησιμοποιείται για την αποθήκευση πληροφοριών και τη μεταφορά μεταξύ των υπολογιστών. Έλαβε κάποια κακή φήμη στον κόσμο του παιχνιδιού, όπου συνήθως περιλαμβάνονται σε ένα δελτίο για την αποθήκευση δεδομένων σχετικά με την πρόοδο του παιχνιδιού.

γενική περιγραφή

Flash μνήμη είναι ένας τύπος που είναι σε θέση να αποθηκεύουν πληροφορίες σχετικά με την κάρτα σας για μεγάλο χρονικό διάστημα χωρίς τη χρήση ηλεκτρικής ενέργειας. Επιπλέον, πρέπει να σημειωθεί υψηλότερη ταχύτητα πρόσβασης στα δεδομένα, και την καλύτερη κινητική αντίσταση σοκ σε σύγκριση με τους σκληρούς δίσκους. Χάρη σε αυτά τα χαρακτηριστικά, έχει γίνει σημείο αναφοράς για δημοφιλείς συσκευές, που τροφοδοτείται από μπαταρίες και συσσωρευτές. Ένα άλλο αναμφισβήτητο πλεονέκτημα είναι ότι όταν μια κάρτα μνήμης flash συμπιέζεται σε μια στερεά, σχεδόν αδύνατο να καταστρέψει μερικές πρότυπες φυσικές μεθόδους, έτσι ώστε να μπορεί να αντέξει βραστό νερό και υψηλή πίεση.

Χαμηλού επιπέδου πρόσβαση σε δεδομένα

μια μέθοδος πρόσβασης δεδομένων, που βρίσκεται στη μνήμη flash είναι πολύ διαφορετική από εκείνη που εφαρμόζεται με τους συμβατικούς τύπους. πρόσβαση χαμηλού επιπέδου πραγματοποιείται από τον οδηγό. Η κανονική RAM ανταποκριθεί άμεσα στις κλήσεις ανάγνωση των πληροφοριών και των ρεκόρ, επιστρέφοντας τα αποτελέσματα των εργασιών αυτών, και η συσκευή μνήμης flash είναι τέτοια που θα χρειαστεί χρόνος για περισυλλογή.

Η συσκευή και η αρχή λειτουργίας

Αυτή τη στιγμή, μνήμη flash κοινό, το οποίο έχει σχεδιαστεί για να odnotranzistornyh στοιχεία με «πλωτά» πύλη. Μέσω αυτού είναι δυνατή η παροχή ενός αποθήκευσης δεδομένων υψηλής πυκνότητας σε σύγκριση με τη δυναμική RAM, η οποία απαιτεί ένα ζεύγος τρανζίστορ και ένα στοιχείο πυκνωτή. Αυτή τη στιγμή η αγορά είναι γεμάτη με μια ποικιλία τεχνολογιών για την κατασκευή των βασικών στοιχείων για αυτό το είδος των μέσων μαζικής ενημέρωσης, τα οποία έχουν σχεδιαστεί από κορυφαίους κατασκευαστές. Η διαφορά είναι ο αριθμός των στρωμάτων, οι μέθοδοι της γραφής και διαγραφή δομή και οργάνωση πληροφορίας, η οποία συνήθως αναφέρεται στον τίτλο.

Αυτή τη στιγμή, υπάρχουν δύο τύποι chips που είναι πιο συχνές: NOR και NAND. Σε αμφότερες η μνήμη τρανζίστορ σύνδεση γίνεται στις γραμμές μπιτ - παράλληλα και σε σειρά, αντίστοιχα. Ο πρώτος τύπος μεγέθη κυττάρων είναι αρκετά μεγάλο, και υπάρχει η δυνατότητα για γρήγορη τυχαίας προσπέλασης, η οποία σας επιτρέπει να εκτελέσετε προγράμματα απευθείας από τη μνήμη. Η δεύτερη χαρακτηρίζεται από μικρότερα μεγέθη ματιών, καθώς και την γρήγορη διαδοχική πρόσβασης που είναι πολύ πιο βολικό όταν η ανάγκη για την κατασκευή ενός block συσκευές τύπου που θα αποθηκεύουν μεγάλες ποσότητες πληροφοριών.

Οι περισσότερες φορητές συσκευές SSD χρησιμοποιεί τον τύπο μνήμης NOR. Τώρα, όμως, γίνεται ολοένα και πιο δημοφιλείς συσκευές με μια διασύνδεση USB. Χρησιμοποιούν μνήμης NAND τύπου. Σταδιακά αντικαθιστά τον πρώτο.

Το κύριο πρόβλημα - ευθραυστότητα

Τα πρώτα δείγματα της παραγωγής κινήσεις λάμψης σειρά δεν χαροποίησε τους χρήστες υψηλότερες ταχύτητες. Τώρα, όμως, η ταχύτητα εγγραφής και ανάγνωσης είναι σε ένα επίπεδο που μπορεί να θεωρηθεί πλήρους μήκους ταινία ή να τρέξει το λειτουργικό σύστημα του υπολογιστή. Μια σειρά από κατασκευαστές έχουν ήδη αποδείξει τη μηχανή, όπου ο σκληρός δίσκος αντικαθίσταται από τη μνήμη flash. Αλλά η τεχνολογία αυτή έχει ένα πολύ σημαντικό μειονέκτημα, το οποίο γίνεται ένα εμπόδιο για την αντικατάσταση του φορέα δεδομένων των υφιστάμενων μαγνητικών δίσκων. Λόγω της φύσης των συσκευών μνήμης flash επιτρέπει τη διαγραφή και την εγγραφή πληροφοριών σε περιορισμένο αριθμό κύκλων, που είναι εφικτό, ακόμη και για τις μικρές και φορητές συσκευές, για να μην αναφέρουμε το πόσο συχνά γίνεται σε υπολογιστές. Εάν χρησιμοποιείτε αυτόν τον τύπο των μέσων μαζικής ενημέρωσης ως ένα solid-state drive σε έναν υπολογιστή, τότε έρχεται γρήγορα μια κρίσιμη κατάσταση.

Αυτό οφείλεται στο γεγονός ότι μια τέτοια μονάδα είναι χτισμένο στην ιδιοκτησία του τρανζίστορ επίδρασης πεδίου για την αποθήκευση στο «πλωτή» πύλη ηλεκτρικό φορτίο, η απουσία ή η παρουσία των οποίων στο τρανζίστορ θεωρείται ως ένα λογικό ένα ή μηδέν σε δυαδικό αριθμητικό σύστημα. Καταγραφή και διαγραφή δεδομένων στις NAND-μνήμης διοχετευμένης ηλεκτρόνια που παράγονται με τη μέθοδο των Fowler-Nordheim περιλαμβάνουν διηλεκτρικό. Δεν απαιτεί υψηλή τάση, η οποία σας επιτρέπει να κάνετε ένα ελάχιστο μέγεθος των κυττάρων. Αλλά ακριβώς αυτή η διαδικασία οδηγεί σε φυσική φθορά των κυττάρων, δεδομένου ότι το ηλεκτρικό ρεύμα στην περίπτωση αυτή προκαλεί τα ηλεκτρόνια διαπερνούν την πόρτα, σπάζοντας το διηλεκτρικό φράγμα. Ωστόσο, μια εγγυημένη διάρκεια ζωής μιας τέτοιας μνήμης είναι δέκα χρόνια. Οι αποσβέσεις τσιπ δεν είναι λόγω της ανάγνωσης των πληροφοριών, αλλά λόγω των εργασιών της διαγραφής του και να γράφουν, επειδή ανάγνωση δεν απαιτεί αλλαγές στη δομή των κυττάρων, αλλά περνά μόνο ένα ηλεκτρικό ρεύμα.

Φυσικά, οι κατασκευαστές μνήμης εργάζονται δραστήρια προς την κατεύθυνση της αύξησης της διάρκειας ζωής της στερεάς κατάστασης κινήσεις αυτού του τύπου: είναι σταθερό για να εξασφαλιστεί η ομοιομορφία της εγγραφής / διαγραφής διαδικασίες στα κύτταρα του πίνακα σε ένα όχι φοριούνται περισσότερο από άλλους. Για διαδρομή πρόγραμμα εξισορρόπησης φορτίου χρησιμοποιούνται κατά προτίμηση. Για παράδειγμα, για να εξαλειφθεί το φαινόμενο αυτό ισχύει και για «φθορά ισοπέδωση» της τεχνολογίας. Τα δεδομένα είναι συχνά υπόκεινται σε αλλαγές, μετακινήστε το χώρο διευθύνσεων της μνήμης flash, επειδή η εγγραφή πραγματοποιείται σύμφωνα με τις διαφορετικές φυσικές διευθύνσεις. Κάθε ελεγκτής είναι εξοπλισμένο με το δικό του αλγόριθμο ευθυγράμμισης του, γι 'αυτό είναι πολύ δύσκολο να συγκριθεί η αποτελεσματικότητα των διαφόρων μοντέλων όπως δεν αποκαλύφθηκαν οι λεπτομέρειες εφαρμογής. Όπως κάθε χρόνο ο όγκος των κινήσεων λάμψης γίνονται όλο και πιο απαραίτητη η χρήση πιο αποδοτικών αλγορίθμων που συμβάλλουν στη διασφάλιση της σταθερότητας της απόδοσης της συσκευής.

Αντιμετώπιση προβλημάτων

Ένας πολύ αποτελεσματικός τρόπος για την καταπολέμηση του φαινομένου δόθηκε ένα ορισμένο ποσό των απολύσεων μνήμης, με την οποία εξασφαλίζεται η ομοιομορφία του φορτίου και της διόρθωσης σφαλμάτων, μέσω ειδικών αλγορίθμων για τη λογική προώθησης φυσική αντικατάσταση μπλοκ εμφανίζεται με βαριά χρήση memory stick. Και για να αποτρέψει την απώλεια των πληροφοριών των κυττάρων, ελαττωματικά, μπλοκάρει ή να αντικατασταθεί από το αντίγραφο ασφαλείας. Το εν λόγω λογισμικό καθιστά δυνατή για να εμποδίσει τη διανομή για να διασφαλιστεί η ομοιομορφία του φορτίου με την αύξηση του αριθμού των κύκλων κατά 3-5 φορές, αλλά αυτό δεν είναι αρκετό.

Κάρτα μνήμης και άλλες παρόμοιες συσκευές αποθήκευσης χαρακτηρίζονται από το γεγονός ότι στην περιοχή υπηρεσίας τους αποθηκεύεται με τον πίνακα του συστήματος αρχείων. Αποτρέπει πληροφορίες διαβάζονται αποτυχίες στο λογικό επίπεδο, για παράδειγμα, εσφαλμένη ή αποσυνδέοντας την ξαφνική διακοπή της παροχής ηλεκτρικής ενέργειας. Και δεδομένου ότι κατά τη χρήση αφαιρούμενων συσκευών που παρέχονται από το σύστημα προσωρινής αποθήκευσης, η συχνή αντικατάσταση έχει την πιο καταστροφική επίδραση πάνω στο τραπέζι και κατάλογος περιεχομένων εκχώρησης αρχείων. Και ακόμα και ειδικά προγράμματα για κάρτες μνήμης δεν είναι σε θέση να βοηθήσει σε αυτή την κατάσταση. Για παράδειγμα, για ένα μόνο χειρισμό χρήστη αντιγραφεί χιλιάδες αρχεία. Και, προφανώς, μόνο μία φορά εφαρμόζεται στα τμήματα εγγραφής στην οποία τοποθετούνται. Αλλά η περιοχή εξυπηρέτησης αντιστοιχούσε με κάθε ενημέρωση οποιοδήποτε αρχείο, το οποίο, πίνακας κατανομής έχουν υποστεί αυτή τη διαδικασία χιλιάδες φορές. Για το λόγο αυτό, στην πρώτη θέση θα αποτύχει μπλοκ καταλαμβάνεται από αυτά τα δεδομένα. Τεχνολογία «φθορά ισοπέδωση» συνεργάζεται με τις μονάδες αυτές, αλλά η αποτελεσματικότητά της είναι περιορισμένη. Και τότε δεν έχει σημασία τι χρησιμοποιείτε τον υπολογιστή σας, η μονάδα flash, θα καταστραφεί ακόμα και όταν παρέχεται από το δημιουργό.

Αξίζει να σημειωθεί ότι η αύξηση της ικανότητας αυτών των συσκευών έχει οδηγήσει σε μάρκες μόνο στο γεγονός ότι ο συνολικός αριθμός των κύκλων εγγραφής μειώθηκε, δεδομένου ότι το κύτταρο γίνει μικρότερο, απαιτώντας λιγότερο τάσης και να διαχέει χωρίσματα οξειδίου που απομονώνουν «αιωρούμενη πύλη.» Και εδώ η κατάσταση είναι τέτοια που η αύξηση της χωρητικότητας των συσκευών που χρησιμοποιούνται το πρόβλημα της αξιοπιστίας τους έχει γίνει όλο και επιδεινώνεται και η κάρτα τάξη είναι τώρα εξαρτάται από πολλούς παράγοντες. Αξιόπιστη λειτουργία μιας τέτοιας απόφασης καθορίζεται από τα τεχνικά χαρακτηριστικά του, καθώς και την κατάσταση της αγοράς που επικρατεί αυτή τη στιγμή. Λόγω του έντονου ανταγωνισμού ανάγκασε τους κατασκευαστές να μειώσουν το κόστος παραγωγής με οποιονδήποτε τρόπο. Μεταξύ άλλων με την απλούστευση του σχεδιασμού, της χρήσης των συστατικών ενός φθηνότερο σετ, για τον έλεγχο της παραγωγής και την αποδυνάμωση και με άλλους τρόπους. Για παράδειγμα, η κάρτα μνήμης «Samsung» θα κοστίσει περισσότερο από λιγότερο γνωστές ομολόγων, αλλά η αξιοπιστία του είναι πολύ λιγότερα προβλήματα. Αλλά εδώ, πάρα πολύ δύσκολο να μιλήσουμε για την πλήρη απουσία των προβλημάτων, και μόνο για τις συσκευές εντελώς άγνωστο κατασκευαστές είναι δύσκολο να περιμένουμε κάτι παραπάνω.

προοπτικές ανάπτυξης

Ενώ υπάρχουν προφανή πλεονεκτήματα, υπάρχει ένας αριθμός των μειονεκτημάτων που χαρακτηρίζουν την κάρτα SD-μνήμης, εμποδίζοντας την περαιτέρω επέκταση της εφαρμογής της. Ως εκ τούτου, διατηρείται σταθερή αναζήτηση εναλλακτικών λύσεων στον τομέα αυτό. Φυσικά, πρώτα απ 'όλα να προσπαθήσει να βελτιώσει τους υπάρχοντες τύπους μνήμης flash, η οποία δεν οδηγεί σε ορισμένες θεμελιώδεις αλλαγές στην υπάρχουσα παραγωγική διαδικασία. Έτσι χωρίς αμφιβολία ένα μόνο: εταιρείες που συμμετέχουν κατασκευή αυτών των τύπων των μονάδων, θα προσπαθήσει να χρησιμοποιήσει το πλήρες δυναμικό του, πριν από τη μετάβαση σε ένα διαφορετικό τύπο συνεχή βελτίωση παραδοσιακή τεχνολογία. Για παράδειγμα, η Sony κάρτα μνήμης που παράγονται σήμερα σε ένα ευρύ φάσμα των όγκων, ως εκ τούτου, θεωρείται ότι είναι και θα συνεχίσουν να πωλούνται ενεργά.

Ωστόσο, μέχρι σήμερα, για τη βιομηχανική εφαρμογή του ορίου είναι μια ολόκληρη σειρά από εναλλακτικές τεχνολογίες αποθήκευσης, μερικά από τα οποία μπορούν να εφαρμοστούν αμέσως μετά την εμφάνιση των ευνοϊκών συνθηκών της αγοράς.

Σιδηροηλεκτρικές RAM (FRAM)

αρχή Τεχνολογία σιδηροηλεκτρικό αποθήκευσης (Σιδηροηλεκτρικές RAM, FRAM) προτείνεται για την κατασκευή ενός μη πτητική χωρητικότητα της μνήμης. Πιστεύεται ότι ο μηχανισμός της διαθέσιμης τεχνολογίας, η οποία συνίσταται στην αντικατάσταση των δεδομένων κατά τη διαδικασία της ανάγνωσης για όλες τις τροποποιήσεις των βασικών συστατικών, οδηγεί σε μια ορισμένη συγκράτηση των συσκευών υψηλής ταχύτητας δυναμικό. Μια FRAM - μία μνήμη, η οποία χαρακτηρίζεται από απλότητα, υψηλή αξιοπιστία και ταχύτητα λειτουργίας. Αυτές οι ιδιότητες είναι πλέον χαρακτηριστικό των DRAM - πτητική μνήμη RAM που υπάρχει αυτή τη στιγμή. Αλλά τότε περισσότερα θα προστεθούν, και η δυνατότητα μακροπρόθεσμη αποθήκευση των δεδομένων, η οποία χαρακτηρίζεται από μία κάρτα μνήμης SD. Ανάμεσα στα πλεονεκτήματα αυτής της τεχνολογίας μπορεί να διακριθεί αντίσταση σε διάφορους τύπους διεισδυτική ακτινοβολία που μπορεί να απαιτηθούν σε ειδικές συσκευές που χρησιμοποιούνται για να εργαστούν σε συνθήκες αυξημένης ραδιενέργειας ή στο χώρο της έρευνας. μηχανισμός αποθήκευσης πληροφοριών πραγματοποιείται με την εφαρμογή του σιδηροηλεκτρικό αποτέλεσμα. Συνεπάγεται ότι το υλικό είναι σε θέση να διατηρήσει πόλωση εν απουσία εξωτερικού ηλεκτρικού πεδίου. Κάθε κύτταρο μνήμης FRAM σχηματίζεται με την τοποθέτηση του φιλμ υπέρλεπτων των σιδηροηλεκτρικό υλικό με τη μορφή κρυστάλλων μεταξύ ενός ζεύγους ηλεκτροδίων επίπεδης μεταλλικής σχηματίζοντας ένα πυκνωτή. Τα δεδομένα στην περίπτωση αυτή διατηρείται εντός της κρυσταλλικής δομής. Αυτό αποτρέπει το φαινόμενο της διαρροής φορτίου, η οποία προκαλεί απώλεια πληροφοριών. Τα δεδομένα στο FRAM-μνήμη διατηρείται ακόμη και αν η τάση τροφοδοσίας.

Μαγνητική RAM (MRAM)

Ένας άλλος τύπος της μνήμης, η οποία είναι σήμερα θεωρείται ότι είναι πολύ ελπιδοφόρα, είναι MRAM. Χαρακτηρίζεται από την απόδοση σχετικά υψηλή ταχύτητα και μη-πτητικότητα. Μονάδα κύτταρο σε αυτή την περίπτωση είναι λεπτή μαγνητική ταινία τοποθετείται επί ενός υποστρώματος πυριτίου. MRAM είναι μια στατική μνήμη. Δεν χρειάζεται περιοδική αναμόρφωση, και οι πληροφορίες δεν θα χαθούν όταν εξουσία είναι απενεργοποιημένη. Επί του παρόντος, οι περισσότεροι ειδικοί συμφωνούν ότι αυτό το είδος της μνήμης μπορεί να ονομαστεί η επόμενη γενιά της τεχνολογίας, όπως το υπάρχον μοντέλο δείχνει μια παράσταση αρκετά υψηλή ταχύτητα. Ένα άλλο πλεονέκτημα αυτής της λύσης είναι το χαμηλό κόστος του τσιπ. Flash μνήμη είναι κατασκευασμένο σύμφωνα με την εξειδικευμένη διαδικασία CMOS. Ένα τσιπ MRAM μπορεί να κατασκευαστεί με πρότυπες διαδικασία κατασκευής. Επιπλέον, τα υλικά μπορούν να χρησιμεύσουν ως αυτά που χρησιμοποιούνται σε συμβατικά μαγνητικά μέσα. Παράγουν μεγάλες παρτίδες από αυτά τα τσιπ είναι πολύ φθηνότερα από ό, τι όλα τα άλλα. Σημαντικό χαρακτηριστικό MRAM μνήμη είναι η ικανότητα να ενεργοποιήσετε άμεσα. Αυτό είναι ιδιαίτερα σημαντικό για κινητές συσκευές. Πράγματι, σε αυτόν τον τύπο του κυττάρου προσδιορίζεται από την τιμή της μαγνητικής φορτίου, και όχι ηλεκτρικά, όπως στη συμβατική μνήμη flash.

Ovonic Unified Memory (Ουμ)

Ένας άλλος τύπος μνήμης, στο οποίο πολλές εταιρείες εργάζονται δραστήρια - αυτό είναι ένα solid-state drive με βάση το άμορφο ημιαγωγών. Στη βάση του βρίσκεται η τεχνολογία μετάπτωσης φάσης που είναι παρόμοιο με την αρχή της εγγραφής σε συμβατικούς δίσκους. Εδώ η κατάσταση φάση της ουσίας σε ένα ηλεκτρικό πεδίο αλλάζει από κρυσταλλική σε άμορφη. Και αυτή η αλλαγή αποθηκεύεται απουσία τάσης. Από τα συμβατικά οπτικών δίσκων , οι εν λόγω συσκευές που χαρακτηρίζεται από το ότι η θέρμανση λαμβάνει χώρα με τη δράση του ηλεκτρικού ρεύματος, δεν λέιζερ. Ανάγνωση διεξάγεται στην προκειμένη περίπτωση λόγω της διαφοράς στη στοχαστική ουσίες ικανότητα σε διαφορετικές καταστάσεις, η οποία γίνεται αντιληπτή από τον αισθητήρα κίνησης. Θεωρητικά, ένα τέτοιο διάλυμα έχει αποθήκευσης υψηλής πυκνότητας δεδομένων και μέγιστη αξιοπιστία, όπως επίσης και αυξημένη ταχύτητα. Υψηλό ποσοστό είναι ο μέγιστος αριθμός των κύκλων εγγραφής, η οποία χρησιμοποιεί έναν δίσκο του υπολογιστή, flash, σε αυτή την περίπτωση υστερεί κατά πολλές τάξεις μεγέθους.

RAM chalcogenide (CRAM) και Φάσης Αλλαγή μνήμης (PRAM)

Η τεχνολογία αυτή βασίζεται επίσης επί τη βάσει των μεταβάσεων φάσης όταν μία ουσία φάση που χρησιμοποιείται στον φορέα χρησιμεύει ως ένα μη αγώγιμο άμορφο υλικό, και η δεύτερη αγωγός είναι κρυσταλλική. Η μετάβαση του κυττάρου μνήμης από μία κατάσταση στην άλλη πραγματοποιείται από το ηλεκτρικό πεδίο και θέρμανση. Τέτοιες μάρκες που χαρακτηρίζεται από αντίσταση σε ιονίζουσα ακτινοβολία.

Πληροφορίες-Πολυστρωματικό Τυπωμένες κάρτα (Info-MICA)

συσκευές εργασίες που χτίστηκε στη βάση αυτής της τεχνολογίας, με βάση την αρχή της ολογραφίας thin-film. Η πληροφορία καταγράφεται ως εξής: πρώτα σχηματίζοντας ένα δισδιάστατη εικόνα μεταδίδεται στο ολόγραμμα της τεχνολογίας CGH. Ανάγνωση των δεδομένων οφείλεται στην στερέωση της δέσμης laser στην άκρη ενός από τα στρώματα εγγραφής, των οπτικών κυματοδηγών εργαζόμενους. Φως διαδίδεται κατά μήκος ενός άξονα ο οποίος είναι διατεταγμένος παράλληλα προς το επίπεδο του στρώματος, που σχηματίζει την εικόνα εξόδου που αντιστοιχούν στις πληροφορίες που καταγράφονται προηγουμένως. Τα αρχικά στοιχεία μπορούν να λαμβάνονται σε οποιαδήποτε στιγμή μέσω αντίστροφο αλγόριθμο κωδικοποίησης.

Αυτό το είδος της μνήμης ευνοϊκά με το ημιαγωγών οφείλεται στο γεγονός που εξασφαλίζει υψηλή πυκνότητα δεδομένων, χαμηλή κατανάλωση ενέργειας και το χαμηλό κόστος του φορέα, περιβαλλοντικής ασφάλειας και προστασίας από μη εξουσιοδοτημένη χρήση. Αλλά ξαναγράψιμο πληροφορίες της κάρτας όπως μνήμης δεν επιτρέπει, ως εκ τούτου, μπορεί να χρησιμεύσει μόνο ως μακροχρόνια αποθήκευση, αντικαταστήστε το μέσο χαρτιού ή ένα εναλλακτικό οπτικούς δίσκους για διανομή του περιεχομένου των πολυμέσων.